Στην κατασκευή αγωγών, ο αγωγός πετρελαίου και ο αγωγός φυσικού αερίου μεταφέρονται προς τη μεγάλη διάμετρο υψηλής πίεσης και η ανάπτυξη υποθαλάσσιου αγωγού πάχους κατεύθυνσης όλο και περισσότεροι αγωγοί απαιτούν τη χρήσηΧαλύβδινος σωλήνας LSAW. Με την εισαγωγή πολλών μεγάλης ραφής γραμμής παραγωγής σωλήνων με συγκολλημένο τόξο βυθισμένου τόξου τίθεται σε λειτουργία, η κύρια προηγμένη τεχνολογία συγκόλλησης LSAW είναι ιδιαίτερα σημαντική.
Ο γαλβανισμένος χάλυβας είναι γενικά στο εξωτερικό στρώμα από χάλυβα χαμηλής περιεκτικότητας σε άνθρακα από γαλβανισμένο στρώμα ψευδαργύρου τυπικά πάχους 20um. Το σημείο τήξης του ψευδαργύρου είναι 419 ° C, με σημείο βρασμού περίπου 908 ° C. Συγκόλληση χαλύβδινων σωλήνων, ο ψευδάργυρος τήκεται σε υγρό που επιπλέει στην επιφάνεια της πισίνας ή στη θέση της ρίζας της συγκόλλησης. Ο ψευδάργυρος έχει μεγάλο βαθμό στερεού διαλύματος σε σίδηρο, το βάθος του υγρού ψευδάργυρου κατά μήκος του ορίου των κόκκων που χαράσσει το μέταλλο συγκόλλησης, το χαμηλό σημείο τήξης του ψευδαργύρου σχηματίζεται «ευθραυστότητα υγρού μετάλλου.
Εν τω μεταξύ, ο ψευδάργυρος και ο σίδηρος μπορεί να σχηματιστούν στις διαμεταλλικές εύθραυστες ενώσεις, σε αυτές τις εύθραυστες πλαστικές κάτω φάση του μετάλλου συγκόλλησης, και ρωγμές υπό τάση εφελκυσμού. Οι συγκολλήσεις φιλέτου συγκόλλησης, ειδικά η συγκόλληση φιλέτου συνδετήρα σχήματος Τ είναι πιο πιθανό να παραχθεί μέσω ρωγμής. Χαλύβδινος σωλήνας με πλαστική επένδυση Η συγκόλληση γαλβανισμένου χάλυβα, η επιφάνεια και η άκρη του αυλακιού στο στρώμα ψευδαργύρου, στο θερμικό φαινόμενο τόξου, με αποτέλεσμα την οξείδωση, την τήξη, την εξάτμιση των πτητικών καθώς και τον λευκό καπνό και τον ατμό, μπορούν εύκολα να προκαλέσουν τον πόρο η συγκόλληση. ZnO, σχηματίζεται λόγω οξείδωσης του υψηλότερου σημείου τήξης περίπου 1800 ° C ή περισσότερο, εάν, στη διαδικασία συγκόλλησης οι παράμετροι είναι πολύ μικρές, η σκωρία θα προκαλέσει το ZnO ταυτόχρονα. Ο Zn γίνεται Αποοξειδωτικός. Παράγουν οξείδια με χαμηλό σημείο τήξης FeO-MnO ή FeO-MnO-SiO2 σκωρία. Δεύτερον, λόγω της εξάτμισης του ψευδάργυρου εξατμίζεται πολλές λευκές αναθυμιάσεις στο ανθρώπινο σώμα έχουν μια διέγερση, κατά του πόνου, ως εκ τούτου, πρέπει να γυαλιστεί συγκόλλησης γαλβανισμένο στρώμα διατεθεί.
Η συγκόλληση γαλβανισμένου χάλυβα και χάλυβας χαμηλής περιεκτικότητας σε άνθρακα και η γενική προετοιμασία είναι η ίδια, πρέπει να δώσετε προσοχή στο μέγεθος του αυλακιού και του γαλβανισμένου στρώματος κοντά στο σοβαρό χειρισμό. Το μέγεθος του αυλακιού διείσδυσης πρέπει να είναι κατάλληλο, γενικά 60 έως 65 °, για να αφήνει ένα συγκεκριμένο κενό, γενικά είναι 1,5 – 2,5 mm. για να μειώσετε τη συγκόλληση διείσδυσης ψευδαργύρου πριν το αυλάκι γαλβανισμένο στρώμα συγκόλλησης καθαρίσει αργότερα. Στην πραγματική επίβλεψη, με έμφαση στο παίξιμο του αυλακιού, χωρίς να αφήνει αμβλύ άκρο την τεχνολογία κεντρικού ελέγχου, δύο στρώσεις διαδικασίας συγκόλλησης, για να μειωθεί η πιθανότητα ατελούς διείσδυσης. Η επιλογή υλικού ηλεκτροδίου θα πρέπει να βασίζεται στη μήτρα του γαλβανισμένου σωλήνα, γενικά χάλυβα χαμηλής περιεκτικότητας σε άνθρακα λόγω της ευκολίας, η επιλογή του J422 είναι πιο κοινή. Τεχνικές συγκόλλησης: η ραφή συγκόλλησης στη συγκόλληση του πρώτου στρώματος της πολυστρωματικής συγκόλλησης, όσο το δυνατόν περισσότερο, έτσι ώστε το στρώμα ψευδαργύρου να λιώσει και να εξατμιστεί, η εξατμισόμενη συγκόλληση διαφυγής, μπορεί να μειώσει σημαντικά τον υγρό ψευδάργυρο που παραμένει στη συγκόλληση.
Φιλέτο συγκόλλησης, και επίσης προσπαθήστε να κάνετε το πρώτο στρώμα του στρώματος ψευδαργύρου να λιώσει και να εξατμιστεί, να εξατμιστεί και να διαφύγει από τη συγκόλληση, το πρώτο του ηλεκτρόδιο τελειώνει προς τα εμπρός από περίπου 5 ~ 7 mm, όταν το στρώμα ψευδαργύρου έλιωσε και στη συνέχεια επιστρέψτε στην αρχική θέση συγκόλλησης . Και πάλι όταν η διασταυρούμενη συγκόλληση και η κάθετη συγκόλληση, όπως η επιλογή βραχέων ηλεκτροδίων σκωρίας, όπως το J427, η τάση υποκοπής θα είναι πολύ μικρή. εάν το μπροστινό και το πίσω μέρος και από την τεχνολογία μεταφοράς, τόσο περισσότερα μπορείτε να πάρετε τα ελαττώματα ποιότητας συγκόλλησης.
Ώρα δημοσίευσης: Οκτ-25-2019